EDO内存

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EDO是Extended Data Out(扩展数据输出)的简称,它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔。
中文名
EDO内存
外文名
Extended Data Out
解    释
扩展数据输出
周    期
隔2个时钟脉冲周期传输一次数据

EDO内存EDO内存简介

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它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔,每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据,大大地缩短了存取时间,使存取速度提高30%,达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条,以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中,它有72线和168线之分,采用5V工作电压,带宽32 bit,必须两条或四条成对使用,可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰,只能在某些老爷机上见到。

EDO内存EDO DRAM 工作原理

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[1] 
EDO DRAM与更古老的 FPM DRAM数据读取完毕才会进行下一个数据的读取的方式有很大的差异。EDO DRAM可以在输出数据的同时进行下一个列地址选通,我们依然结合下面的EDO读取时序图来了解EDO DRAM读取数据的过程:
1、RAS在结束上一次的读取操作之后,进入预充电状态,当接到读取数据的请求之后,行地址首先通过地址总线传输到地址引脚,在这个期间CAS依然处于预充电状态。 2、/RAS引脚被激活,列地址开始经过行地址选通电路和行地址解码器进行行地址的选择,就在这个同时tRAC周期开始,因为是读取操作/WE引脚一直没有被激活,所以内存知道自己进行的是读取操作而不是写操作。
3、在CAS依然进行预充电的过程中,列地址被送到列地址选通电路选择出来合适的地址,当/CAS被激活的同时tCAC周期开始,当tCAC结束的时候,需要读取的数据将会通过数据引脚传输到数据总线。
4、从开始输出第一组数据的时候,我们就可以体会到EDO同FPM之间的区别了:在tCAC周期结束之前,CAS失活并且开始了预充电,第二组列地址传输和选通也随即开始,第一数据还没有输出完毕之前,下一组数据的tCAC周期就开始了--显然这样进一步的节省了时间。就在第二组数据输出前,CAS再次失活为第三组数据传输列地址做起了准备……
5、如此的设计使得EDO内存的性能比起FPM的性能提高了大约20-40%。
6、正是因为EDO的速度比FPM快,所以它可以运行在更高的总线频率上。所以很多的EDO RAM可以运行在66MHz的频率上,并且一般标注为5-2-2-2。

EDO内存常见EDO 内存图片

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1、72线EDO内存
72线EDO 内存 72线EDO 内存
2、168线EDO内存
参考资料
词条标签:
计算机学